薄膜光电性能的处理之清洗器使用。

    半导体对电极薄膜做为 DSSC 中重要的组成部分之一，需要具有以下条件：1）较高的电子迁移率； 2）较大的比表面积吸附更多的染料分子；3）材料来源丰富，成本低，安全无害；4）对入射光具有良好 的散射效果，增强对入射光子的收集率。因此通常使用 TiO2、ZnO、SnO2、Fe2O3、Nb2O5、WO3 等具有宽 禁带结构的半导体金属氧化物。超声波清洗器 KH2200E（昆山禾创超声仪器有限公司）；紫外―可见光分光光度 计 Specord 50 Plus 型（德国耶拿分析仪器股份有限公司）；太阳光模拟器 XES-40S1 型（日本三永机电）； 数字源表 VC880L 型（A Taktronix Company）；XRD 衍射仪 7000 型（日本岛津公司）。

    可以看出所制备出的薄膜样品衍射峰均复合 ZnO 六方纤锌矿特征峰，此外除了所用 FTO 基底的特征峰之外并无其他杂峰。所制备出的样品在（002）峰强 度大而（101）峰强度小至几乎不可见，说明样品垂直于薄膜沿 C 轴增长，具有良好的 C 轴择优取向性。 随 着 Ar 流量的增长，（101）峰有一定程度的增强。为了制备具有优异光电性能的 ZnO 致密层薄膜，研究了在其他溅射条件固定的情况下 Ar 流量对 ZnO 薄膜光电性能的影响，并将其成功的应用在以 ZnO 做为光阳极的染料敏化太阳能电池当中。